In2O3掺杂Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3无铅压电陶瓷的研究

• 作者: 刘心宇 周昌荣 尹丹 成钧
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无铅压电陶瓷 BNT In2O3掺杂 介电性能 钙钛矿结构
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 5-7
• 分类号: TM282
• 字数: 2888字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.05.002

摘要

以准同型相界组成Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3 (BNT)为基础配方,In2O3为改性剂,研究了In2O3掺杂量对Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3无铅陶瓷晶体结构和电性能的影响.XRD分析表明,所有样品的相结构均为纯钙钛矿固溶体.陶瓷的晶粒尺寸随掺杂量的增加而增加.介电常数-温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰tf和tm,在tm的介电常数εm随掺杂量的增加而下降,tf和tm都随掺杂量的增加向高温移动.当In2O3摩尔分数为0.1%时,压电性能达最大值:d33=141 pC/N,kp =0.32.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘心宇	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	224	1450	18.0	23.0
5	周昌荣	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	65	286	9.0	12.0
9	尹丹	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0