电子束蒸发制备PbI2薄膜的光电性质研究

• 作者: 朱兴华 李乐中 杨军 杨定宇 杨维清 魏昭荣
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PbI2薄膜 紫外-可见透过谱 光学带隙 光致发光谱 光电导
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 567-570
• 分类号: O484.1
• 字数: 3425字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.05.23

摘要

采用电子束蒸发法制备了PbI2多晶薄膜,研究制备条件对薄膜光电性质的影响.结果表明,不同条件下制备的样品呈现不同的择优取向生长特征,但均属于六方相多晶结构.随着衬底温度的升高,PbI2薄膜的紫外-可见透过谱透过性能提高,光学带隙由室温时的2.33 eV增大到200 ℃时的2.44 eV.同时发现,不同源-衬间距制备样品的光谱透过性能和光学带隙基本相同.光致发光谱(PL)测试表明,薄膜的发光可能源自禁带中的缺陷能级跃迁,其PL发光峰的强度和展宽随源-衬间距的增大有明显变化.论文最后测试了PbI2薄膜在绿光LED照射下的光电导响应,发现制备样品的光电导响应性能与薄膜的沉积温度和源-衬间距有密切关系,光电导率的数量级约在10-8～10-9 Ω-1·cm-1之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱兴华	成都信息工程学院光电技术学院	32	98	6.0	7.0
2	杨定宇	成都信息工程学院光电技术学院	39	148	6.0	9.0
3	李乐中	成都信息工程学院光电技术学院	23	48	4.0	6.0
4	杨军	成都信息工程学院光电技术学院	15	56	5.0	7.0
5	杨维清	成都信息工程学院光电技术学院	9	16	3.0	3.0
6	魏昭荣	成都信息工程学院光电技术学院	16	39	3.0	5.0