电阻率对电容法测Si片厚度的影响

• 作者: 冯地直
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻率 电容法 厚度测试 电介质常数 影响
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 469-472
• 分类号: TN304.07
• 字数: 1984字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.014

摘要

在对电容法测量Si片厚度的原理分析基础上,根据电阻率与介质介电常数ε的对应关系,分析了用电容法测试Si片厚度时,电阻率及电阻率均匀性对测试结果的影响,并采用千分尺(有接触测试)、ADE6034及Wafer Check 7000(电容法测试)分别对不同电阻率及电阻率均匀性的样品进行测试比对.实验结果证明,电容法可以测量高电阻率Si片的厚度等几何参数,但不能测量电阻率均匀率较差的Si片.同时,校正电容法测量设备时,以校正样片电阻率与被测Si片电阻率范围接近为原则.