GaAs基PHEMT加速度传感器的研究

• 作者: 侯婷婷 刘俊 张斌珍 王杰 薛晨阳 谭振新 贾晓娟
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微加速度计 PHEMT 动态测试 灵敏度 GaAs
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 188-191
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3|TN304.07
• 字数: 2495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2010.02.009

摘要

PHEMT结构一种高电子迁移率品体管,以其高频和低噪声等方面的优越性,成为当今微电子领域中最活跃的研究主题之一.将其良好的力敏特性应用在加速度计方面更是成为前沿的研究方向.基于GaAs基PHEMT结构压阻效应,设计加工出一种悬臂梁式微加速度传感器,通过力作用在加速度计上,改变PHEMT结构漏极电流的输出,并通过外围测试电路来检测该电流变化,从而实现力电转换.文中,对其基本原理和结构设计进行阐述,并进行力学特性的研究.结果表明,在动态测试下.PHEMT结构的漏极输出电流与栅压、漏压之间的关系与静态测试Ⅰ-Ⅴ特性曲线保持一致.该加速度计具有良好的线性特性,经过测试在饱和区灵敏度为0.177 mV/g_n.