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摘要:
准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键.采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法.邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之间的线性关系进行拟合而得;α和β的提取则是分别根据前散射和背散射的范围设计特定的提取版图,并根据电子束邻近效应产生的特殊现象进行参数值的确定.根据此方法提取了150 nm厚负性HSQ抗蚀剂层在50 kV入射电压下的散射参数,并将其应用于邻近效应校正曝光实验中,很好地克服了电子束邻近效应的影响,验证了此方法提取电子束曝光邻近效应校正参数的实用性及准确性.
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文献信息
篇名 电子散射参数提取的新方法
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 电子束光刻 邻近效应校正 电子散射 散射参数 微细加工 抗蚀剂
年,卷(期) 2010,(2) 所属期刊栏目 显微、测量、微细加工技术与设备
研究方向 页码范围 115-120
页数 6页 分类号 TN305.7
字数 3935字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.02.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈宝钦 4 15 2.0 3.0
2 赵珉 湛江师范学院信息科技与技术学院 5 13 2.0 3.0
3 刘明 4 23 2.0 4.0
4 牛洁斌 2 2 1.0 1.0
5 谢常青 2 10 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
电子束光刻
邻近效应校正
电子散射
散射参数
微细加工
抗蚀剂
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研究来源
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