半导体桥爆发临界性实验研究

• 作者: 徐新春 杨贵丽 焦清介 金兆鑫
• 来源期刊: 火工品
• 关键词: 半导体桥 临界爆发电流 临界爆发电压 临界电离电压
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 1-5
• 分类号: TJ450.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-1480.2010.01.001

摘要

对电容放电和5min恒流激励时半导体桥换能元的爆发特性进行了实验研究,测试了半导体桥作用过程中电压、电流、电阻的变化规律,通过对电阻变化特点的详细分析,发现恒流激励时半导体桥存在临界爆发电流,电容放电激励时存在爆发和产生等离子体两个临界电压.然后利用D-最优化法测试了电阻约为0.8Ω、长度为80μm、宽度为380μm、厚度为2μm、V型角为90°的半导体桥的临界爆发电流、临界爆发电压和产生等离子体的临界电离电压等数据,通过加载不同的电压,得出了爆发时间与充电电压之间的规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦清介	北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室	178	1313	16.0	21.0
2	徐新春	北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室	7	42	4.0	6.0
3	金兆鑫		8	51	4.0	7.0
4	杨贵丽	北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室	2	20	2.0	2.0