HVPE法生长AlN薄膜材料

• 作者: 于祥潞 刘金鑫 岳洋 张峰 徐永宽 李强 杨丹丹 殷海丰 程红娟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化物气相外延生长 氮化铝 载气 蓝宝石衬底 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 89-92
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23|TN304.054
• 字数: 2027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.02.006

摘要

利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃.在采用H2作载气情况下,由于预反应严重,没能生长出AlN薄膜,只得到一些白色AlN粉末;而在分别采用Ar和N2作载气的情况下,则成功生长出AlN薄膜,但由于生长温度低,AlN生长均为岛状生长模式.在生长速率较快时, AlN薄膜是以<0001>AlN为主的AlN多晶;而在较低生长速率下,得到的AlN薄膜由为<0001>取向的AlN岛组成.试验还发现:用Ar作载气更有利于AlN晶核的横向生长,用N2作载气则有相对高得多的AlN成核密度.