车载IGBT器件封装装片工艺中空洞的失效研究

• 作者: 孙伟锋 孙海燕 施建根 景伟平 高国华
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 装片 空洞 热阻 失效研究
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 23-27
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.02.006

摘要

IGBT芯片在TO-220封装装片时容易形成空洞,焊料层中空洞大小直接影响车载IGBT器件的热阻与散热性能,而这些性能的好坏将直接影响器件的可靠性.文章分析了IGBT器件在TO-220封装装片时所产生的空洞的形成机制,并就IGBT器件TO-220封装模型利用FEA方法建立其热学模型,模拟结果表明:在装片焊料层中空洞含量增加时,热阻会急剧增大而降低IGBT器件的散热性能,IGBT器件温度在单个空洞体积为10%时比没有空洞时高出28.6℃.同时借助工程样品失效分析结果,研究TO-220封装的IGBT器件在经过功率循环后空洞对于IGBT器件性能的影响,最后确立空洞体积单个小于2%,总数小于5%的装片工艺标准.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋		105	634	13.0	19.0
2	孙海燕		25	71	5.0	8.0
3	高国华		5	42	2.0	5.0
4	施建根		1	33	1.0	1.0
8	景伟平		1	33	1.0	1.0