Cs-Mg-H合金的形成能力与成键机制研究

• 作者: 容青艳 尹凤娥 邓永和
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 关键词: 第一性原理计算 Cs-Mg-H 反应焓 态密度 电荷密度 形成能力 成键机制
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 213-218
• 页数: 6页
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论第一性原理的Vienna Ab initio Simulation Package(VASP)软件研究了CsMgH3,Cs4Mg3H(10)和Cs2MgH4氢化物的晶体结构、反应焓和电子结构.结果表明CsMgH3,Cs4Mg3H(10)和Cs2MgH4都能直接由单质Cs和Mg在H2中反应生成,其中Cs4Mg3H(10)的形成能力最强;态密度和电荷密度的分析与讨论表明了Mg和H的成键机制为离子键伴随着显著的共价键,