用离子束技术研究稀磁半导体和纳米磁性材料

• 作者: 丁志博 姚淑德 法涛 王坤 陈田祥 陈迪
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 自旋半导体 纳米磁性材料 离子束技术
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 173-178
• 页数: 6页
• 分类号: O571.33|O472.5|O484.43
• 字数: 3834字
• 语种: 中文

摘要

综述用离子束技术研究稀磁半导体和纳米磁性材料的构建、调控和改性的进展和现状.离子束注入是优选的构建和调控方法,测试结果表明在GaN和ZnO等新半导体光电材料中注入Mn、Ni和Co等过渡金属离子可得到低温和室温下的铁磁性.离子束分析技术给出这些新材料薄膜的微结构信息,透射电镜下观察到过饱和剂量Mn~+注入GaN形成的纳米磁性颗粒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁志博	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	7	63	4.0	7.0
2	姚淑德	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	22	100	5.0	9.0
3	王坤	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	23	206	7.0	14.0
4	陈迪	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	5	16	3.0	3.0
5	法涛	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	4	6	2.0	2.0
6	陈田祥	北京大学核物理与核技术国家重点实验室	3	35	3.0	3.0