AlN,GaN和InN分子基态的结构和解析势能函数

• 作者: 徐国亮 朱遵略 耿振铎
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论(DFT) 分子结构 离解极限 势能函数
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 631-636
• 分类号: O561.1
• 字数: 622字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2010.04.005

摘要

采用密度泛函理论的B3LYP/ 6-311+G(3df)方法优化计算了AlN, GaN 和 InN分子基态的平衡结构、振动频率和离解能.根据原子分子反应静力学原理,导出了AlN, GaN 和 InN分子的合理离解极限, 利用Murrell-Sorbie势能函数和从头算结果得到基态相应的解析势能函数并由光谱数据和解析势能函数的关系计算了基态的光谱数据(αe,Be, ωe和ωeχe),计算结果与实验数据符合得相当好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱遵略	河南师范大学物理与信息工程学院	88	316	9.0	15.0
2	徐国亮	河南师范大学物理与信息工程学院	29	135	6.0	10.0
3	耿振铎	河南师范大学物理与信息工程学院	21	88	6.0	9.0