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双向可控硅电路完整建模中的Snubber电路设计
双向可控硅电路完整建模中的Snubber电路设计
作者:
章旭东
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
TRIACs
Snubber
误差分析
阻尼比
峰值电压
换向电压上升率
摘要:
主要讨论了双向可控硅(TRIACs)典型应用电路和缓冲电路(Snubber)的设计方法,根据双向可控硅受负载电流过零点控制转向,因而可能在感性负载应用中迫使可控硅误导通的特点,分析了合适Snubber电路设计的关键。并通过完整电路的建模方法,分析了双向可控硅典型应用电路的snubber电路设计。
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文献信息
篇名
双向可控硅电路完整建模中的Snubber电路设计
来源期刊
电子元器件应用
学科
工学
关键词
TRIACs
Snubber
误差分析
阻尼比
峰值电压
换向电压上升率
年,卷(期)
2010,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
66-68
页数
3页
分类号
TN402
字数
语种
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
章旭东
同济大学超大规模集成电路研究所
2
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期刊影响力
电子元器件应用
主办单位:
中国电子元件行业协会
出版周期:
月刊
ISSN:
1563-4795
CN:
开本:
大16开
出版地:
西安市科技路37号海星城市广场B座240
邮发代号:
创刊时间:
1999
语种:
chi
出版文献量(篇)
5842
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7
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