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摘要:
本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管(FRD)的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力,介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案,以及晶闸管企业研制FRD需要配置的硬件条件等.
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文献信息
篇名 快恢复二极管发展与现状
来源期刊 电力电子 学科
关键词 功率半导体 二极管 快恢复 软特性 结构
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 17-23
页数 7页 分类号
字数 语种 中文
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张斌 56 870 15.0 28.0
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北京西直门外北京交通大学电气工程楼206室
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