结构缺陷对HgI2晶体光吸收的影响

• 作者: 介万奇 李高宏 许岗
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碘化汞 结构缺陷 自由载流子吸收
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 872-877
• 分类号: O77
• 字数: 4485字
• 语种: 中文

摘要

为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱.结果表明,波长约为580 nm时,存在着本征吸收限;波长大于580 nm时,随波长增加,晶体对光的吸收减小,透过率达到45%以上;在1000～2500 nm范围内,UV光谱存在四个明显的光吸收带,对应的入射光能量分别为0.79±0.01 eV,0.72 eV,0.57±0.01 eV 和0.53 eV.中红外透过曲线随波长增加而增大,透过率为39%～68%.通过M/HgI2的I～t曲线,采用简单能级模型进一步确认了生长的HgI2晶体存在0.79±0.01 eV和0.72 eV两个陷阱能级.分析认为,HgI2晶体层间的相对移动形成的结构缺陷造成1572.5 nm(0.79±0.01 eV)和1729.2 nm(0.72 eV)处的吸收,晶体缺碘造成2117.5 nm(0.57±0.01 eV)处的吸收和汞空位造成2305.8 nm(0.53 eV)的吸收.在中红外波段,晶体结构缺陷造成了显著的晶格吸收.严格控制原料的化学计量比有利于减少HgI2晶体的结构缺陷,提高晶体的光学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料学院	272	1636	19.0	27.0
2	李高宏	西安工业大学材料与化工学院	46	379	10.0	17.0
3	许岗	西安工业大学材料与化工学院	29	154	6.0	11.0