Bphen作为缓冲层对有机太阳能电池的光电性能影响

• 作者: 于军胜 刘峰 蒋亚东 钟建 高卓 黄秋炎
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 有机太阳能电池 光伏效应 缓冲层 Bphen
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 250-254
• 分类号: TN383
• 字数: 3150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2010.04.009

摘要

选用CuPc(酞菁酮)为供电子的材料,使用Bphen(4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲)为缓冲层的材料,研究了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/Bphen(x)/Ag(100 nm)的有机太阳能电池(OSC).考察OSC性能与缓冲层Bphen厚度之间的关系,优化器件的结构.在标准太阳光照条件下(AM1.5)测量器件的Ⅰ-Ⅴ特性,结果显示,太阳电池的能量转换效率与缓冲层厚度密切相关.采用高真空蒸发的方法,制作了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/Bphen(x)/Ag(100 nm)的器件,器件效率随着Bphen厚度的增加先增大后变小,当厚度为0 nm时,效率为0.85%;当厚度为2.5 nm时,效率为1.22%;而当厚度为5 nm时,效率为1.69%;当厚度为7.5 nm时,效率则为0.79%,当厚度为10 nm时,效率则为0%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军胜	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	436	10.0	15.0
2	钟建	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	22	91	6.0	8.0
3	刘峰	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	10	62	5.0	7.0
4	高卓	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	29	3.0	4.0
5	黄秋炎	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	11	2.0	2.0