三极管器件结构研究

• 作者: 郑若成 陈姜
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 三极管 结构 电流能力 发射极面积(AE) HFE
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 36-40
• 分类号: TN305
• 字数: 3560字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.12.010

摘要

文章对三极管版图结构和器件特性关系进行了研究,设计了5种常规的纵向NPN管结构,从电流能力和寄生电阻两方面讨论了不同结构的差异和优劣.认为单基极接触结构比双基极接触结构具有更优的电流能力;集电极电流和发射极面积AE并不是按照比例线性增大,尤其在大注入时,集电极电流增大明显低于AE的增大;相同面积的马蹄形结构发射区放置在周围具有更大的AE和电流能力;这些结构在寄生电阻表现上各有优劣.讨论了基极和集电极接触方式差异对三极管电流性能的影响,对电路版图设计提出建议.讨论了EB隔离方式对三极管放大倍数HFE的影响,指出多晶隔离EB结构具有更大的HFE,尤其在小注入时表现显著.通过对这些结构的分析,还提出电流能力更优的梳状结构的版图布局.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑若成		20	44	4.0	5.0
2	陈姜		1	1	1.0	1.0