烧结温度对碳化硅陶瓷力学性能的影响

• 作者: 乔发鹏 吴澜尔 江涌
• 来源期刊: 粉末冶金技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅陶瓷 烧结温度 显微结构 力学性能
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺与设备
• 页码范围: 58-60
• 页数: 3页
• 分类号: TF12
• 字数: 2250字
• 语种: 中文

摘要

采用硼、碳助剂无压烧结制备碳化硅陶瓷.针对烧结温度与碳化硅烧结体密度、抗弯强度以及硬度之间的关系进行了试验研究,并对不同温度下制备的烧结体进行了显微结构形貌观察和XRD图谱分析.结果表明,烧结温度在2190～2220℃范围内可以制备密度高、力学性能好的碳化硅陶瓷.其相对密度超过96%;抗弯强度接近400MPa;维氏硬度23GPa以上.在试验温度范围内,密度与抗弯强度之间的关系近似为线性关系,密度越高抗弯强度和硬度性能越好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴澜尔	北方民族大学材料科学与工程学院	38	130	7.0	10.0
2	江涌	北方民族大学材料科学与工程学院	22	71	5.0	7.0
3	乔发鹏	北方民族大学材料科学与工程学院	1	13	1.0	1.0