论文降重
免费查重
32nm及其以后工艺代的HK+MG的稳步进展
基本信息来源于合作网站，原文需代理用户跳转至来源网站获取
摘要：
芯片制造厂有多种办法"指向"32nm及其工艺代高k金属栅电介质(HK+MG)CMOS.2008年在旧金山举行的国际电子器件会议(IEDM)上发表的相关论文表明:虽然"路径"不同,但一直在取得稳步进展.利用带金属栅高k不仅能恢复一定程度的"等比缩小",且能使栅漏(电流)减小到原来的1/25(nMOS)和1/1000(pMOS).
推荐文章
32nm CMOS工艺技术挑战
CMOS技术
32nm技术节点
迁移率增强
金属栅/高k栅介质
超低k介质
16nm工艺下的新一代静态时序分析技术SOCV
静态时序分析
AOCV
SOCV
Stm32步进电机控制器及其在焊缝跟踪系统中的应用
焊缝跟踪
步进电机控制
Stm32
μC/OS-Ⅱ
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献 (0)
共引文献 (0)
参考文献 (0)
节点文献
引证文献 (0)
同被引文献 (0)
二级引证文献 (0)
2010(0)
- 参考文献(0)
- 二级参考文献(0)
- 引证文献(0)
- 二级引证文献(0)
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代材料动态
主办单位：
北京有色金属研究总院
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
N内资准字：2001—L 0103号
开本：
出版地：
北京新街口外大街2号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
chi
出版文献量（篇）
59
总下载数（次）
0
期刊文献
相关文献
推荐文献
