电化学法制备单硅烷工艺概述

• 作者: 于剑昆 卢培浩 吕国会
• 来源期刊: 低温与特气
• 学科: 工学
• 关键词: 单硅烷 SiH4 制备 电化学法 工艺
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 综述评论
• 页码范围: 4-9
• 页数: 6页
• 分类号: TQ117
• 字数: 5804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7804.2010.01.002

摘要

单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,因其高纯度和能够实现精细控制而成为至今为止世界唯一大规模生产粒状高纯硅的中间产物.介绍了SiH4的物化性质及毒性.SiH4的工业合成方法包括硅化镁法、氯硅烷或烷氧基硅烷歧化法、氯硅烷还原法等,但它们存在工艺流程复杂、设备成本高、需要对产物进行复杂的精制等问题.详细介绍了几种国外公司开发的电化学合成SiH4的装置及工艺,该类方法具有操作安全和经济、可实现高度一体化、可现场发生、以及产物精制工艺简单等优点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕国会		5	159	4.0	5.0
2	卢培浩		6	24	4.0	4.0
3	于剑昆		1	4	1.0	1.0