新型缺陷地结构改善射频功率放大器的性能

• 作者: 张俊庆 游彬 门阳
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 新型缺陷地结构 射频功率放大器 测试 谐波
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 575-578
• 分类号: TN722.75
• 字数: 1697字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.05.013

摘要

提出了一种新型的缺陷地结构,并将这种新型的缺陷地结构应用于实际所设计的射频功率放大器中.这种新型的缺陷地结构,蚀刻在射频功率放大器的偏置线下面的地平面和输出匹配电路后方的地平面,经过最后和不加这种结构的射频功率放大器进行比较和测试验证,证明成功的抑制了射频功率放大器的二次、三次谐波.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张俊庆	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
2	游彬	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	13	39	4.0	5.0
3	门阳	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	2	13	2.0	2.0