Cu掺杂ZnO薄膜的光学性质

• 作者: 刘明 吕海峰 唐鑫 张庆瑜 曲盛薇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO:Cu薄膜 磁控溅射 密度泛函理论 结晶特性 光学性质
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 204-208
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 3106字
• 语种: 中文

摘要

采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了Cu掺杂ZnO 薄膜.利用X射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛函理论计算的结果进行了对比.研究结果显示:Cu掺杂ZnO薄膜均具有高的c轴择优取向,无Cu及其氧化物相关相析出,掺杂对晶格参数的影响较小,与理论计算结果一致.Cu掺杂显著改变了ZnO薄膜在近紫外及可见光波段的吸收特性,其光学带隙随着Cu掺杂量的增加有所减小,带隙宽度的变化趋势与理论结果有着很好的一致性.Cu掺杂显著降低了ZnO薄膜的发光效率,具有明显的发光猝灭作用,但并不影响光致发光的发光峰位.说明Cu掺杂导致的吸收特性的改变可能与杂质能级有关,这与能带结构计算发现的Cu-3d电子态位于价带顶附近的禁带中是一致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	大连理工大学三束材料改性重点实验室	45	494	12.0	20.0
2	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性重点实验室	92	897	16.0	25.0
3	唐鑫	大连理工大学三束材料改性重点实验室	8	93	5.0	8.0
4	吕海峰	中国科学院计算机网络信息中心	6	92	4.0	6.0
5	曲盛薇	大连理工大学三束材料改性重点实验室	3	23	2.0	3.0