PMOSFET动态NBTI效应的研究

• 作者: 宋芳芳 李斌 章晓文 解江
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: PMOS 动态NBTI 可靠性 恢复效应
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 79-83
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1|TN402
• 字数: 3268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.019

摘要

负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注.对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力下NBTI(SNBTI)退化机理,综述了DNBTI效应的动态恢复机制以及影响因素,最后介绍了NBTI效应对电路的影响.随着器件尺寸的日益缩小,如何提高电路的可靠性变得日益重要,进一步研究NBTI效应对电路的影响从而进行NBTI电路级可靠性设计已成为集成电路设计关注的焦点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋芳芳		1	3	1.0	1.0
2	李斌		1	3	1.0	1.0