SiC(0001)(√3×√3)R30°结构的XPS分析

• 作者: 徐昌贵 洪正平 王秀娥 章小丽
• 来源期刊: 北京交通大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 表面重构 能态 光电子 能谱 能量漂移
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 100-102,106
• 分类号: O472.1
• 字数: 1998字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0291.2010.06.022

摘要

不断加热富硅SiC(0001)样品,分别用低能电子衍射(LEED)仪,扫描隧道显微镜(STM)观察,当加热到950 ℃时,出现SiC(0001)(√3×√3)R30°重构面的LEED和STM图样.利用X射线光电子能谱仪,记录发自SiC(0001)(√3×√3)R30°结构的角分辨X射线光电子能谱(XPS).采用最小二乘法,对内层能级的能量进行解旋,使其与实验数据拟合.分析实验结果,得出SiC(0001)(√3×√3)R30°结构中Si2p和C1s的能态结构,并与体内的Si2p和C1s的能态进行比较,得出表面Si2p态的能量漂移,进而发现SiC(0001)(√3×√3)R30°重构面仅由硅原子形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪正平	山东师范大学物理与电子科学学院	43	105	4.0	8.0
2	王秀娥	北京工商大学机械工程学院	19	40	3.0	5.0
3	章小丽	北京交通大学理学院	5	4	1.0	1.0
4	徐昌贵	北京工商大学机械工程学院	17	237	7.0	15.0