双极器件EB结击穿测试对HFE的影响

• 作者: 戴昌梅 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 电流应力 缺陷 HFE 复合电流
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.2
• 字数: 1944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.01.008

摘要

三极管测试发现,发射极和基极EB结击穿测试会降低三极管放大倍数HFE.理论表明,HFE和注入效率γ,基区输运系数αT,复合系数δ相关.文章模拟EB结击穿应力,同时设计三种测试方法,测试应力前后三极管HFE、IC、IB等参数的变化,认为HFE降低是由于IB的增大造成.同时根据上面三个系数对应的物理区域分析认为,电流应力造成了缺陷,缺陷引起的EB结复合电流和基区传输复合电流的增大是IB增大的因为,但EB结复合电流是主要的,是HFE降低的因为.最后指出流片工艺过程中的损伤也会造成类似HFE降低的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑若成		20	44	4.0	5.0
2	戴昌梅		2	8	2.0	2.0