氧气压强对PLD制备MgZnO薄膜光学性质的影响

• 作者: 于永强 吴春艳 揭建胜 梁齐 汪壮兵 王莉 胡治中 许小亮
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgZnO薄膜 氧气压强 蓝移
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 639-645
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 1161字
• 语种: 中文

摘要

使用准分子脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)基片上制备了高度c轴取向的MgZno薄膜.分别使用SEM、XRD、XPS、PL谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质.实验发现氧气压强对MgZnO薄膜的结构和光学性质有重要影响.当氧气压强由5 Pa增大到45 Pa时,薄膜的PL谱紫外峰蓝移了86meV,表明氧气压强的增大提高了MgZnO薄膜中Mg的溶解度.在15 Pa氧气压强下制备的薄膜显示了独特、均匀的六角纳米柱状结构,其PL谱展示了优异的发光特性,具有比其他制备条件下超强的紫外发射和微弱的可见发光.500～600 nm范围内的绿光发射,我们讨论其机理可能源于深能级中与氧相关的缺陷.使用PLD得到纳米柱状结构表明:优化制备条件,可望使用PLD制备ZnO纳米阵列的外延衬底;可使用PLD技术开发基于ZnO纳米结构的高效发光器件.