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Optical transition and carrier relaxation in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with InAlAs and InGaAs combination cap layer by resonant excitation
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摘要：
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| 篇名 | Optical transition and carrier relaxation in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with InAlAs and InGaAs combination cap layer by resonant excitation | ||
| 来源期刊 | 上海大学学报（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2010,（2） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 83-88 | |
| 页数 | 6页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | 10.1007/s11741-010-0202-3 | ||
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