高气压下氢化微晶硅薄膜的高速沉积

• 作者: 卢景霄 申陈海 郭学军 陈庆东 陈永生
• 来源期刊: 真空
• 学科: 哲学
• 关键词: μc-Si:H VHF-PECVD 高速沉积 结晶状况 电学特性
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 20-23
• 分类号: O484|B43
• 字数: 3248字
• 语种: 中文

摘要

利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500 Pa和600 Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响.研究表明:在高压强条件下,硅烷浓度和气体流量对沉积速率影响显著,而功率密度影响较弱;高沉积速率生长的薄膜孵化层较厚;电学特性较好的薄膜位于非晶/微晶过渡区.经过工艺的初步优化,在高压强(600 Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1 nm/s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
2	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	陈庆东	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	6	12	3.0	3.0
4	郭学军	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	9	41	5.0	6.0
5	申陈海	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	4	22	3.0	4.0