沉积条件对CVD法SiC涂层形貌和组成成分的影响

• 作者: 周乐平 张明瑜 黄启忠
• 来源期刊: 炭素技术
• 学科: 工学
• 关键词: CVD SiC涂层 组成成分 沉积条件
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TB332
• 字数: 1652字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3741.2010.05.001

摘要

采用MTS-H2-Ar体系通过等温化学气相沉积(CVD)在石墨基底表面沉积了SiC涂层.研究了沉积温度、气体总压和气体流量对涂层形貌和组成成分的影响.SEM和AFM观察表明,SiC一次颗粒尺寸在100 nm以内.在本实验的沉积条件变化范围内,Ar流量增大使涂层表面变粗糙,温度升高使涂层变厚.X射线衍射和拉曼光谱分析显示沉积物主要为3C型的β-SiC.气体总压和H2流量都增大时易生成游离Si.气体总压较小而H2流量较大时易生成游离C.当气体总压为5 kPa,H2流量为500 mL·min-1时可得到化学计量比的SiC.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄启忠	中南大学粉末冶金国家重点实验室	161	1430	20.0	30.0
2	张明瑜	中南大学粉末冶金国家重点实验室	43	187	8.0	11.0
3	周乐平	中南大学粉末冶金国家重点实验室	4	13	2.0	3.0