热场结构对直拉硅单晶生长能耗影响分析

• 作者: 刘冰 吴志强 姜舰 戴小林 邓树军 高宇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 模拟 硅单晶 能耗 热场 直拉
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 1183-1185
• 分类号: TN304.12
• 字数: 2178字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.12.010

摘要

结合多年热场使用经验和计算机模拟技术分析了在热场结构中影响能耗的主要因素,并提出了降低能耗的有效措施,其中包括使用热屏、紧凑的热场结构及使用低热导率的保温材料.使用小口径热屏对降低能耗有显著的效果.改进热场结构:减小加热器与石墨坩埚的间距或减小加热器与保温层的间距都能有效降低直拉硅单晶生长能耗.分析了温场中其他热量的损失,提出了包括减少热场部件与炉体直连,选用低热导率的保温材料的方法可以有效降低能耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴小林		9	76	5.0	8.0
2	姜舰		3	16	3.0	3.0
3	邓树军		2	8	2.0	2.0
4	吴志强		6	40	3.0	6.0
8	刘冰		2	8	2.0	2.0
9	高宇		4	28	3.0	4.0