论文降重
免费查重
在SiO2结构中掺Ge制得一种新的压电单晶
基本信息来源于合作网站，原文需代理用户跳转至来源网站获取
摘要：
对α-石英类材料的主要兴趣是由于其良好的压电性质,除α-石英本身外,还有一族"通式"为AⅢBⅤO4的化合物材料(此外A为Al,Ga,Fe,B;B为P和As)可用两个内相关角描述其结构畸变:内四面体跨角A-O-B,θ和四面体倾(斜)角δ.
推荐文章
退火温度对Ge/SiO2多层膜的结构和光学性能的影响
Ge/SiO2多层薄膜
射频磁控溅射
退火温度
UV-VIS光谱
小角度X射线衍射
一种宽频带压电单晶换能器设计
复合棒换能器
压电单晶
匹配层
有限元
宽频带
Si基片上掺Ge SiO2的火焰水解法制备
火焰水解
SiO2
GeO2
折射率
光波导
球形SiO2的制备研究
单分散球形SiO2
硅酸钠
化学沉淀法
乙酸乙酯
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献 (0)
共引文献 (0)
参考文献 (0)
节点文献
引证文献 (0)
同被引文献 (0)
二级引证文献 (0)
2010(0)
- 参考文献(0)
- 二级参考文献(0)
- 引证文献(0)
- 二级引证文献(0)
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代材料动态
主办单位：
北京有色金属研究总院
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
N内资准字：2001—L 0103号
开本：
出版地：
北京新街口外大街2号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
chi
出版文献量（篇）
59
总下载数（次）
0
期刊文献
相关文献
推荐文献
