关于VDMOS栅源漏电问题的研究

• 作者: 陆宁
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS Igss GS漏电 GS短路
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 27-31
• 分类号: TN305
• 字数: 2126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.12.008

摘要

文章从VDMOS器件结构及工作原理入手,对VDMOS芯片生产的工艺控制难题--栅源漏电问题作了较全面的分析,描述了栅源漏电对器件的影响、常用的测试方法及问题发生的机理.以详实的理论依据和实际生产中的实验数据,归纳了影响VDMOS栅源漏电的因素及对应的工艺控制要点,总结了解决这一问题的思路及方法,供VDMOS技术工作者或其他各方面对VDMOS有一定了解的半导体技术工作者参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆宁		2	5	1.0	2.0