纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势补偿研究

• 作者: 温殿忠 赵晓锋
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅/单晶硅异质结MAGFET 磁传感器 不等位电势 磁灵敏度
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 363-366
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2994字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2010.03.015

摘要

采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势V_(HO),不等位电势V_(HO)随工作电压V_(DS)绝对值增加而增大.通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压V_(GS),调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿.实验结果表明,当外加磁场B=0时,工作电压V_(DS)恒定时,随栅极偏置电压V_(GS) 绝对值增加,纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势V_(HO)逐渐接近零位输出;采用栅极偏置电压进行不等位电势补偿较外加补偿电阻方法可以使磁传感器灵敏度得到提高,在工作电压V_(DS)为-1.0V时磁灵敏度约提高18 %.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温殿忠	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	51	330	10.0	15.0
5	赵晓锋	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	27	123	8.0	10.0