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摘要:
采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势V_(HO),不等位电势V_(HO)随工作电压V_(DS)绝对值增加而增大.通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压V_(GS),调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿.实验结果表明,当外加磁场B=0时,工作电压V_(DS)恒定时,随栅极偏置电压V_(GS) 绝对值增加,纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势V_(HO)逐渐接近零位输出;采用栅极偏置电压进行不等位电势补偿较外加补偿电阻方法可以使磁传感器灵敏度得到提高,在工作电压V_(DS)为-1.0V时磁灵敏度约提高18 %.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势补偿研究
来源期刊 传感技术学报 学科 工学
关键词 纳米硅/单晶硅异质结MAGFET 磁传感器 不等位电势 磁灵敏度
年,卷(期) 2010,(3) 所属期刊栏目 物理类传感器
研究方向 页码范围 363-366
页数 4页 分类号 TN386.1
字数 2994字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-1699.2010.03.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 温殿忠 黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室 51 330 10.0 15.0
5 赵晓锋 黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室 27 123 8.0 10.0
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研究主题发展历程
节点文献
纳米硅/单晶硅异质结MAGFET
磁传感器
不等位电势
磁灵敏度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
传感技术学报
月刊
1004-1699
32-1322/TN
大16开
南京市四牌楼2号东南大学
1988
chi
出版文献量(篇)
6772
总下载数(次)
23
总被引数(次)
65542
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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