直流磁控溅射ZnO:Al薄膜过程中氧气浓度的研究

• 作者: 张良燕 祁康成 袁红梅 韦新颖
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 ZAO薄膜 电阻率 透过率
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜与光电
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TB303
• 字数: 2572字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.01.001

摘要

采用直流磁控溅射的方法制备ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了氧气浓度对ZAO 薄膜的结构、光电性质的影响.实验表明适当的氧气浓度是制备优质ZAO透明导电薄膜的关键.本实验条件下制备的ZAO薄膜最低电阻率为3.67×10-4 Ω·cm ,可见光部分透过率高于90 %.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	袁红梅	电子科技大学光电信息学院	9	45	5.0	6.0
3	韦新颖	电子科技大学光电信息学院	4	31	4.0	4.0
4	张良燕	电子科技大学光电信息学院	1	8	1.0	1.0