高频传输室过渡接头内导体的形状优化设计

• 作者: 倪红军 周旭 朱昱 顾卫标
• 来源期刊: 中北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 驻波比 过渡接头 内导体 优化设计 高频传输室
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 电子与电子信息
• 页码范围: 183-187
• 分类号: TN015
• 字数: 2387字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3193.2010.02.019

摘要

研制吉赫兹横电磁波传输小室,其过渡接头的结构设计尤为关键.运用电磁学中的能量对偶法精确求解GTEM cell中过渡接头部分的特性阻抗,通过建立和求解精确的过渡接头内导体侧边曲线方程,对内导体侧边形状进行优化设计.改进了以往GTEM cell过渡接头内导体侧边采取直线过渡的近似设计方法,解决了高频输入转接头的设计制作难题,保证了高频传输室的整体性能.测试结果表明:采用优化设计过渡接头内导体研制的传输室在0.4～15 GHz的频带范围内,电压驻波比均小于1.5,其综合性能明显高于优化设计前的高频传输小室.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	倪红军	南通大学机械工程学院	222	1132	16.0	25.0
2	朱昱	南通大学机械工程学院	97	719	11.0	25.0
3	顾卫标	南通大学机械工程学院	8	16	3.0	3.0
4	周旭	南通大学机械工程学院	14	34	4.0	4.0