新型自组装材料的制备及其对钍的识别研究

• 作者: 何芳芳 张海生 杨诗晴 王宏青 王榆元 程治强
• 来源期刊: 南华大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 钍 修饰硅胶 离子印迹聚合物 识别研究
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 80-86
• 分类号: O615.11
• 字数: 4167字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0062.2010.04.019

摘要

以钍(IV)为模板离子,制备了基于硅胶表面修饰的离子印迹聚合物.采用傅立叶变换红外光谱和N2吸附-脱附对其进行了结构表征.通过静态分析和动态分析系统研究了印迹聚合物对钍(IV)的吸附行为及选择性,结果表明该印迹材料对钍(IV)的等温吸附线属于Langmuir吸附模型.与非印迹聚合物相比,离子印迹聚合物对钍(IV)离子有较好的选择识别能力,模板离子钍(IV)相对竞争离子铀(VI)、镧(III)和铈(III)的选择系数分别是50.8,78.3和82.6.并且吸附速率快,10 min即达到吸附平衡,最大吸附容量为56.8 mg/g,可望在分离富集领域获得实际应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王榆元	南华大学化学化工学院	40	114	5.0	8.0
2	王宏青	南华大学化学化工学院	44	191	7.0	12.0
3	程治强	南华大学化学化工学院	1	2	1.0	1.0
4	何芳芳	南华大学化学化工学院	2	6	2.0	2.0
5	张海生	南华大学化学化工学院	2	6	2.0	2.0
6	杨诗晴	南华大学化学化工学院	1	2	1.0	1.0