富硅氧化硅微盘的制备研究

• 作者: 陈曜
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 富硅氧化硅 光致发光 各向同性 微盘 微加工
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 899-902
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1206字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.09.011

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及高温退火工艺制备了富硅氧化硅(SRSO)薄膜材料.喇曼光谱仪探测表明,该材料具有较高的光致发光(PL)效率,并在750 nm波长处达到发光峰值.采用电子束光刻(EBL)及电感耦合反应离子刻蚀(ICP)技术在Si衬底上制备了基于富硅氧化硅材料的光学微盘结构.为防止Si衬底的光吸收,在反应离子刻蚀(RIE)系统中研究出一种各向同性的刻蚀工艺,有效使微盘与Si衬底分离.扫描电镜(SEM)探测表明,该工艺具有良好的尺寸控制及高稳定性.利用该工艺,成功制备了直径为4μm的富硅氧化硅微盘器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈曜	广西大学物理科学与工程技术学院	5	33	2.0	5.0