高速层进式Nand Flash差错控制编码

• 作者: 邓中亮 韩可 黄建明
• 来源期刊: 北京邮电大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Nand存储器 差错控制编码 Bose-Chaudhuri-Hocquengham
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 71-74
• 分类号: TH74
• 字数: 2712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5321.2010.03.015

摘要

由于加工工艺的局限性,在Nand存储器(Nand Flash)控制器设计时应具有处理存储数据出错的功能,但是还要保持一定的纠错速度.为解决该问题,在分析常用的差错控制编码(ECC)算法的基础上,提出了一种高速层进式Nand Flash纠错算法,以提高Nand Flash的读写速度;同时设计了一个可纠4位错的Nand Flash控制器.仿真结果表明,采用该编码可有效减少存储器数据纠错时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓中亮	北京邮电大学电子工程学院	165	1541	20.0	31.0
2	韩可	北京邮电大学电子工程学院	7	38	4.0	6.0
3	黄建明	北京邮电大学电子工程学院	7	57	4.0	7.0