氢还原法制备低相变温度掺钨VO2薄膜

• 作者: 丁秀敏 张述林 李敏娇 熊苗 罗祎
• 来源期刊: 钢铁钒钛
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化钒 薄膜 相变温度 掺钨 氢还原
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 钒与钛
• 页码范围: 6-9
• 分类号: TB34
• 字数: 2137字
• 语种: 中文

摘要

在钒溶胶中掺入适量聚钨酸溶胶,采用浸渍提拉法在载玻片上涂膜,涂片薄膜在氢气氛围中、在400℃温度下还原3h,制得掺钨VO2薄膜.金相显微镜观察到薄膜呈VO2的特征绿色;X荧光光谱分析得出薄膜中W、V的含量分别为3.212%和64.97%.电阻-温度曲线测试表明,VO2薄膜的相变温度为40.5℃,热滞回线宽度为△T=11℃,电阻突变量△S达到4.06个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张述林	四川理工学院材料与化学工程学院	42	245	9.0	14.0
2	丁秀敏	四川理工学院材料与化学工程学院	5	7	2.0	2.0
3	李敏娇	四川理工学院化学与制药工程学院	49	265	8.0	14.0
4	罗祎	四川理工学院材料与化学工程学院	9	36	3.0	6.0
5	熊苗	四川理工学院材料与化学工程学院	6	26	3.0	5.0