工艺条件对氧化硅纳米结构的影响

• 作者: 周炽炜 殷俊林 蔡克峰
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 氧化硅 纳米线 纳米棒 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2010,（z2）
• 页码范围: 362-365
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.100

摘要

通过金属催化化学气相沉积法,采用四氯化硅作为硅源合成了棒状氧化硅纳米结构.对产物进行了场发射扫描电镜、透射电镜及附带X射线能谱仪的表征测试.生长工艺条件包括沉积位置、反应时间、氩气冲洗次数和基板对产物纳米结构的影响进行了探讨,其中前三者分别影响气相硅源的浓度、获取硅源的量和残余氧的浓度,而基板的成分和表面粗糙度对纳米结构的生长影响显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷俊林	同济大学上海市金属功能材料开发应用重点实验室	19	184	6.0	13.0
2	蔡克峰	同济大学功能材料研究所	23	132	6.0	11.0
3	周炽炜	同济大学功能材料研究所	1	0	0.0	0.0