pMOS金属栅极材料的研究进展

• 作者: 杨智超 肖志松 黄安平
• 来源期刊: 物理
• 学科: 工学
• 关键词: pMOS 金属栅极 高k栅介质 功函数 界面偶极子
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 113-122
• 页数: 10页
• 分类号: TG1
• 语种: 中文

摘要

随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型MOSFET器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pMOS器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖志松	北京航空航天大学物理系	17	119	6.0	10.0
2	黄安平	北京航空航天大学物理系	23	121	6.0	10.0
3	杨智超	北京航空航天大学物理系	3	15	1.0	3.0