磁场非平衡状态对磁控管放电特性及Cr膜微观结构的影响

• 作者: 文晓斌 李显 蒋百灵
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 磁场非平衡度 Cr膜 伏安特性 微观组织
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 71-76
• 分类号: TG144|TB43
• 字数: 3649字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2010.01.013

摘要

通过采用不同磁场强度的磁铁获得了3种不同非平衡态的磁控管,采用单靶溅射模式于单晶硅衬底上制备了Cr膜.研究了不同磁场非平衡状态下磁控管的伏安特性,并对不同非平衡状态下溅射空间的磁场分布进行了模拟;采用扫描电镜和X射线衍射仪分别对所沉积Cr膜的微观组织和晶体结构进行了观察和分析.结果表明:随着磁场非平衡度的降低,靶表面磁场趋于内敛,磁场对等离子体的约束能力n值由6.05增至20.24.不同磁场非平衡状态下获得的Cr膜均为沿Cr(110)面择优生长的柱状晶结构,磁场非平衡度的增大有利于镀层颗粒的细化及表面质量的改善,但致密性变化趋势相反.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋百灵	西安理工大学材料科学与工程学院	241	5240	40.0	64.0
2	文晓斌	西安理工大学材料科学与工程学院	9	100	4.0	9.0
3	李显	西安理工大学材料科学与工程学院	4	11	2.0	3.0