低硅钢熔融盐电化学方法渗硅

• 作者: 唐国章 崔崇 张玉柱 李运刚 杨海丽
• 来源期刊: 电镀与精饰
• 学科: 工学
• 关键词: 配方优化 对称-单纯形设计 渗硅层
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1-3,11
• 分类号: TG174.445
• 字数: 2093字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3849.2010.05.001

摘要

采用对称-单纯形法对电沉积渗硅熔融盐配方进行了优化设计.设计结果表明,通过计算得到的渗层厚度与熔融盐成分之间的回归方程具有明显的显著性,选择出最佳配方为n(NaCl)∶n(KCl)∶n(NaF)∶n(SiO2)=1∶1∶3∶0.3,用此配方在低硅钢基体上获得了34.51μm渗硅层,实验值与预测值基本吻合.辉光放电光谱仪测定出渗硅层中Si元素呈梯度分布,渗硅层与基体结合良好,光学金相照片显示渗硅层厚度均匀.