二氧化硅的干法刻蚀工艺研究

• 作者: 严剑飞 吴志明 太惠玲 袁凯
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 二氧化硅 最佳工艺条件
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 16-18,22
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3622字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2010.02.005

摘要

主要研究了二氧化硅的干法刻蚀工艺.运用反应离子刻蚀设备(RIE150×4)进行了一系列的刻蚀实验,采用不同的工艺条件对二氧化硅进行选择刻蚀工艺研究,得出了不同工艺条件对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数,并对结果进行了比较与分析,得到了相对最佳的工艺条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志明	电子科技大学光电信息学院	78	544	13.0	17.0
2	太惠玲	电子科技大学光电信息学院	21	203	7.0	14.0
3	严剑飞	电子科技大学光电信息学院	3	42	3.0	3.0
4	袁凯	电子科技大学光电信息学院	22	200	9.0	13.0