低电阻率高透过率TAZO透明导电膜的制备及性能

• 作者: 史晓菲 郭美霞
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 靶基距 TAZO薄膜 透明导电膜 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 21-24
• 分类号: TN304.2|TN304.055
• 字数: 2886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.10.007

摘要

利用直流磁控溅射工艺,在水冷玻璃衬底上制备了透过率高、电阻率相对较低的钛铝共掺杂ZnO(TAZO)透明导电膜.用XRD和SEM等研究其结构、应力和光电性能与靶基距之间的关系.结果表明:TAZO薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.当靶基距为42mm时,薄膜样品晶格畸变最小,具有最小压应力(绝对值)0.270 GPa,同时具有最小方块电阻4.21 Ω/□;靶基距为48 mm时,薄膜样品具有最小电阻率3.09x10-4Ω·cm.所有薄膜样品的可见光区平均透过率都超过了91%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史晓菲	山东理工大学理学院	5	28	3.0	5.0
2	郭美霞	山东理工大学理学院	8	40	5.0	6.0