CMOS X射线实时成像技术在薄壁压力管道焊缝探伤中的试验研究

• 作者: 吴刚 左延田
• 来源期刊: 化工装备技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS X射线 实时成像 薄壁压力管道 试验焊缝 探伤
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 管道技术
• 页码范围: 41-44
• 分类号: TQ0
• 字数: 2641字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7251.2010.03.013

摘要

互补金属氧化硅(complementary metal oxide silicon,简称CMOS)X射线图形探头诞生,该产品的技术专利来自美国NASA宇航中心喷气推进室.上海市特种设备监督检验技术研究院在2004年引进该项设备,并开展CMOS X射线实时成像系统在薄壁承压设备检验检测领域的技术开发、研究和应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左延田		27	79	5.0	8.0
2	吴刚		3	6	2.0	2.0