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微/光电子应用的Ⅳ族外延材料所用前体
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摘要：
CMOS尺寸按摩尔定律不断等比缩小已有40多年了.照这样一年一年地不断提高器件性能也已越来越困难.为此,需利用新材料作为集成元件以提高晶体管的驱动电流.在Si衬底上沉积外延材料成为提高晶体管性能的重要因素.在PMOS中选择性地生长SiGe薄膜以"用作"源/漏单轴应变工程,而选择性地生长Si用于DRAM是降低寄生电阻的一个方法.
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期刊影响力
现代材料动态
主办单位：
北京有色金属研究总院
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
N内资准字：2001—L 0103号
开本：
出版地：
北京新街口外大街2号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
chi
出版文献量（篇）
59
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