基于神经网络的HEMT大信号模型

• 作者: 刘新 吴洪江 杨克武
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 大信号模型 人工神经网络 高电子迁移率晶体管 非线性元件
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 329-332,336
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.008

摘要

运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管(HEMT)的大信号模型.通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数,获得了大信号等效电路模型中寄生参数和非线性本征元件的数值.通过BP神经网络,利用偏置相关的非线性元件值作为训练样本,利用误差反向传播的Levenberg-Maquardt方法训练神经网络并得到了网络权重数据.模型中的非线性元件在CAD软件中用神经网络实现,并将权重数据和CAD软件结合进行仿真.测试和仿真结果表明模型具有很高的精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨克武	河北工业大学信息工程学院	26	186	6.0	13.0
3	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
6	刘新	河北工业大学信息工程学院	1	0	0.0	0.0