基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
AlCu合金的反应离子刻蚀具有其工艺特殊性,如Cu的去除、侧壁的保护、后腐蚀的抑制等.采用BCl3、Cl2、N2和CH4刻蚀AlCu合金,获得了优化的工艺参数,分析了CH4的侧壁保护作用,重点研究了刻蚀残留物的去除.
推荐文章
硅的反应离子刻蚀工艺参数研究
反应离子刻蚀
刻蚀速率
优化工艺参数
硅的反应离子刻蚀实验研究
反应离子刻蚀
刻蚀速率
选择比
均匀性
反应离子刻蚀硅槽工艺研究
硅槽刻蚀
氯气
溴化氢
反应离子刻蚀
光电继电器
硅电容
氮化硅的反应离子刻蚀研究
反应离子刻蚀
氮化硅
刻蚀气体
优化
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 AlCu合金的反应离子刻蚀工艺研究
来源期刊 微处理机 学科 工学
关键词 AlCu合金 反应离子刻蚀 侧壁保护 残留物
年,卷(期) 2010,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 18-20
页数 分类号 TN405
字数 1578字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-2279.2010.03.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴志明 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 78 544 13.0 17.0
2 太惠玲 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 21 203 7.0 14.0
3 袁凯 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 22 200 9.0 13.0
4 苟君 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 7 20 1.0 4.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (3)
共引文献  (10)
参考文献  (6)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1981(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1982(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1995(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1997(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2000(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2002(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2003(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2004(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2010(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
AlCu合金
反应离子刻蚀
侧壁保护
残留物
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微处理机
双月刊
1002-2279
21-1216/TP
大16开
沈阳市皇姑区陵园街20号
1979
chi
出版文献量(篇)
3415
总下载数(次)
7
论文1v1指导