闪烁晶体碘化铯在紫外光和X射线激发下的发光特性

• 作者: 吴正龙 杨百瑞 王亚芳 王金梅 陈鸾
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 闪烁晶体 掺铊碘化铯晶体 辐照缺陷 辐照致荧光
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 831-835
• 分类号: O433.4|O482.31
• 字数: 2752字
• 语种: 中文

摘要

室温下掺铊碘化铯(CsI:TI)晶体的吸收谱在230～320 nm范围内有3个特征峰:310 nm(4 eV)、270nm(4.6 eV)和245 nm(5.1 eV).采用这3种不同激发能量(对应不同激发机制)的近紫外(UV)光激发得到的荧光(PL)光谱相同.这些PL谱与钨(W)靶X射线激发的辐照致荧光(RL)谱也类似.经分峰计算,PL和RL均含有4种熟知的3.1 eV(400 nm)、2.55 eV(486 nm)、2.25 eV(550 nm)和2.1 eV(590 nm)发光组分,但RL中2.1 eV组分高于PL,同时2.55 eV组分又低于PL.分析认为,这一差异来自于X射线对晶体的辐照损伤TL+Va+、Tl0Va+,相关的2.1 eV吸收峰与2.55 eV发光带重叠.结果表明:X射线比紫外光更易产生损伤从而影响晶体CsI:Tl的发光特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴正龙	北京师范大学分析测试中心	41	276	7.0	15.0
2	杨百瑞	北京师范大学物理系	9	39	4.0	6.0
3	陈鸾	北京师范大学分析测试中心	10	85	6.0	9.0
4	王金梅	北京师范大学分析测试中心	1	6	1.0	1.0