Mg掺杂CdSe电子结构和光学性质的第一性原理

• 作者: 李振勇 王亚超 王梅 苏希玉 赵伟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdSe 电子结构 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 842-847
• 分类号: O471.5|O472.3
• 字数: 2678字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算了纤锌矿结构Cd1-xMxSe(x=0,0.125,0.250,0.375)的电子结构和光学性质.结果表明,不同系统的价带顶都主要由Se4p态决定,其位置基本不变;导带底由Se4s态和cd5s共同决定,并且随着掺杂浓度的增加向高能区移动,结果使得带隙展宽,由此使得系统介电函数虚部的峰值和折射率实部的峰值随掺杂浓度的增大而蓝移,计算结果与实验符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏希玉	曲阜师范大学物理工程学院	32	132	7.0	10.0
2	李振勇	曲阜师范大学物理工程学院	2	14	2.0	2.0
3	王梅	曲阜师范大学物理工程学院	15	38	4.0	5.0
7	王亚超	曲阜师范大学物理工程学院	2	14	2.0	2.0
8	赵伟	曲阜师范大学物理工程学院	5	15	2.0	3.0